Near band edge optical absorption and photoluminescence dynamics in bulk InAsN dilute-nitride materials

Author:

Wang D.,Svensson S.P.,Shterengas L.,Belenky G.

Publisher

Elsevier BV

Subject

Materials Chemistry,Inorganic Chemistry,Condensed Matter Physics

Reference16 articles.

1. Band anticrossing in GaInNAs alloys;Shan;Phys. Rev. Lett.,1999

2. Giant and composition-dependent optical band gap bowing in dilute GaSb1−xNx alloys;Belabbes;Appl. Phys. Lett.,2006

3. Band gap reduction in InAsN alloys;Shih;Jpn. J. Appl. Phys.,2003

4. InSb1−xNx growth and devices;Ashley;Solid-State Electron.,2003

5. New Ternary Alloy System for Infrared Detectors;Rogalski,1994

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