SiGe nano-heteroepitaxy: An investigation of the nano-template

Author:

Mastari M.,Charles M.,Pimenta-Barros P.,Argoud M.,Tiron R.,Papon A.M.,Landru D.,Kim Y.,Kononchuck O.,Hartmann J.M.

Publisher

Elsevier BV

Subject

Materials Chemistry,Inorganic Chemistry,Condensed Matter Physics

Reference31 articles.

1. Mushroom-free selective epitaxial growth of Si, SiGe and SiGe: B raised sources and drains;Hartmann;Solid-State Electron.,2013

2. Strain and lattice engineering for Ge FET devices;Bedell;Mater. Sci. Semicond. Process.,2006

3. High-mobility GaSb nanostructures cointegrated with InAs on Si;Borg;ACS Nano,2017

4. Ge composition in Si1−xGex films grown from SiH2Cl2/GeH4 precursors;Suh;J. Appl. Phys.,2000

5. “SiGe and Si Strained-Layer Epitaxy for Silicon Heterostructure Devices,” CRC Press, 13-Dec-2007. [Online]. Available: . [Accessed: 23-Apr-2018].

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