Molecular beam epitaxy growth and temperature-dependent electrical characterization of carbon-doped GaAs on GaAs(1 1 1)B
Author:
Funder
DFG
Publisher
Elsevier BV
Subject
Materials Chemistry,Inorganic Chemistry,Condensed Matter Physics
Reference29 articles.
1. Review Article: Molecular beam epitaxy of lattice-matched InAlAs and InGaAs layers on InP (111)A, (111)B, and (110)
2. Ehrlich-Schwöbel effect on the growth dynamics of GaAs(111)A surfaces
3. Self-Assembly of Symmetric GaAs Quantum Dots on (111)A Substrates: Suppression of Fine-Structure Splitting
4. In(Ga)As/GaAs quantum dots grown on a (111) surface as ideal sources of entangled photon pairs
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