Local strained silicon platform based on differential SiGe/Si epitaxy
Author:
Publisher
Elsevier BV
Subject
Materials Chemistry,Inorganic Chemistry,Condensed Matter Physics
Reference20 articles.
1. 45nm/32nm CMOS – Challenge and perspective
2. K. Kuhn, Design Automation Conference, DAC ’09, 46th ACM/IEEE, 2009, pp. 310–313.
3. Carrier mobilities and process stability of strained Si n- and p-MOSFETs on SiGe virtual substrates
4. Hole mobility enhancements in nanometer-scale strained-silicon heterostructures grown on Ge-rich relaxed Si1−xGex
5. Strain: A Solution for Higher Carrier Mobility in Nanoscale MOSFETs
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