GaAs on Si and related systems: Problems and prospects

Author:

Kroemer Herbert,Liu Tak-Yu,Petroff Pierre M.

Publisher

Elsevier BV

Subject

Materials Chemistry,Inorganic Chemistry,Condensed Matter Physics

Reference25 articles.

1. Stable continuous room‐temperature laser operation of AlxGa1−xAs‐GaAs quantum well heterostructures grown on Si

2. Low‐threshold (∼600 A/cm2at room temperature) GaAs/AlGaAs lasers on Si (100)

3. Polar-on-nonpolar epitaxy

4. Proc. 14th Intern. Symp. on GaAs and Related Compounds, Heraklion, Crete, 1987, Inst. Phys. Conf. Ser. 91;Kroemer,1988

5. Heteroepitaxy on Silicon;Kroemer,1986

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