Extremely large N content (up to 10%) in GaNAs grown by gas-source molecular beam epitaxy

Author:

Kondow M.,Uomi K.,Kitatani T.,Watahiki S.,Yazawa Y.

Publisher

Elsevier BV

Subject

Materials Chemistry,Inorganic Chemistry,Condensed Matter Physics

Reference12 articles.

1. Ext. Abst. 1992 Int. Conf. Solid State Devices and Materials;Hayashi,1992

2. Heterostructure Lasers;Casey,1978

3. Workbook 8th Int. Conf. MBE;Takagi,1994

4. Gallium arsenide and other compound semiconductors on silicon

5. Bonding by atomic rearrangement of InP/InGaAsP 1.5 μm wavelength lasers on GaAs substrates

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