Turn-off time improvement by fast neutron irradiation on pnp Si Bipolar Junction Transistor

Author:

Ahn Sung Ho,Sun Gwang Min,Baek Hani

Publisher

Elsevier BV

Subject

Nuclear Energy and Engineering

Reference18 articles.

1. Solid State Electronic Devices;Streetman,1980

2. Fundamentals of Power Semiconductor Devices;Baliga,2008

3. Defect generation in bipolar devices by ionizing radiation;Chee;ISOR J. Appl. Phys.,2014

4. Metrics for comparison between displacement damage due to ion beam and neutron irradiation in silicon BJTs;Bielejec;IEEE Trans. Nucl. Sci.,2007

5. Experimental and comparative study of gamma radiation effects on Si-IGBT and SiC-JFET;Tala-Ighil;Microelectron. Reliab.,2015

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