Analytical expression for operating speed of GaAs SCFL D-type flip-flops
Author:
Publisher
Elsevier BV
Subject
Materials Chemistry,Electrical and Electronic Engineering,Condensed Matter Physics,Electronic, Optical and Magnetic Materials
Reference7 articles.
1. 11 Gbit/s multiplexer and demultiplexer using 0.15 μm GaAs MESFETs
2. High-yield design technologies for InAlAs/InGaAs/InP-HEMT analog-digital ICs
3. An analytical delay expression for source-coupled FET logic (SCFL) inverters
Cited by 2 articles. 订阅此论文施引文献 订阅此论文施引文献，注册后可以免费订阅5篇论文的施引文献，订阅后可以查看论文全部施引文献
1. Highly uniform InAlAs-InGaAs HEMT technology for high-speed optical communication system ICs;IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing;2003-08
2. Field effect transistors: FETs and HEMTs;Thin Films;2001
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