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n- and p-Type SiGe HFETs and circuits

  • Published:1999-08 Issue:8 Volume:43 Page:1383-1388
  • ISSN:0038-1101
  • Container-title:Solid-State Electronics
  • language:en
  • Short-container-title:Solid-State Electronics

Author:

König U,Zeuner M,Höck G,Hackbarth T,Glück M,Ostermann T,Saxarra M

Publisher

Elsevier BV

Subject

Materials Chemistry,Electrical and Electronic Engineering,Condensed Matter Physics,Electronic, Optical and Magnetic Materials

Reference17 articles.

1. Electron transport properties of Si/SiGe heterostructures: Measurements and device implications

2. High performance 0.25 μm p-type Ge/SiGe MODFETs;Höck;IEE Electron Lett.,1998

3. Köa>nig U, Gruhle A. Proc. of the IEEE Cornell Conf. on Advanced Concepts in High Speed Semiconductor Devices and Circuits. 1997. p. 14–23

4. Design rules for n-type SiGe hetero FETs

5. Performance estimation of Si/SiGe hetero-CMOS circuits

Cited by 29 articles. 订阅此论文施引文献 订阅此论文施引文献，注册后可以免费订阅5篇论文的施引文献，订阅后可以查看论文全部施引文献

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