Expanding the dose window of step-etched space-modulated JTE for ultrahigh voltage 4H-SiC devices
Author:
Publisher
Elsevier BV
Reference24 articles.
1. Simulation study on 4H-SiC power devices with high-k dielectric FP terminations;Song;Diam. Relat. Mater.,2012
2. Design and characterization of the deep-trench, U-shaped field-plate edge termination for 1200-V-class SiC devices;Liu;IEEE Trans. Electron. Dev.,2019
3. 27 kV, 20 A 4H-SiC n-IGBTs;Brunt;Mater. Sci. Forum,2015
4. Design and optimization of four-region multistep field limiting rings for 10kV 4H-SiC IGBTs;Tan,2018
5. Bevel junction termination extension-a new edge termination technique for 4H-SiC high-voltage devices;Sung;IEEE Electron. Device Lett.,2015
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