Les différentes voies de modélisation macroscopique du procédé de dépôt de SiC par voie gazeuse

Author:

AUBRETON J,BLANQUET E,ELCHINGER M,PONS M

Publisher

Elsevier BV

Subject

Materials Chemistry

Reference113 articles.

1. Comportement en frottement sec de dépôts de SiCx (H) (1.5;Boher;Ann. Chim. Sci. Mat.,1998

2. Properties of Silicon Carbide,1995

3. Thermodynamic heat and mass transport modeling of the sublimation growth of silicon carbide crystals;Pons;J. Electrochem. Soc.,1996

4. Chemical Vapor Deposition, dans Microelectronics Processing;Jensen,1989

5. Modeling of chemical vapor deposition of tungsten films;Kleijn,1993

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