High voltage electron irradiation (1 MV, 2 MV) of prestrained InSb single crystals
Author:
Publisher
Elsevier BV
Subject
General Engineering
Reference17 articles.
1. Irradiation damage of II–VI compounds in a high-voltage electron microscope
2. Radiation damage in InP single crystals irradiated between 200 and 320°C in a high voltage electron microscope (2 MV)
3. Détermination par microscopie electronique de la nature des boucles de dislocation créées par irradiation electronique (2 mv) entre 200 et 350°c dans des monocristaux ďinp (structure b3)
4. Electron microscopic investigation of the nature of the dislocation loops created by electron irradiation (2 MeV) between room temperature and 200°C in InSb single crystals
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