Détermination par microscopie electronique de la nature des boucles de dislocation créées par irradiation electronique (2 mv) entre 200 et 350°c dans des monocristaux ďinp (structure b3)-Reference-Cited by-同舟云学术

Détermination par microscopie electronique de la nature des boucles de dislocation créées par irradiation electronique (2 mv) entre 200 et 350°c dans des monocristaux ďinp (structure b3)

Published:1982-01 Issue:1-2 Volume:62 Page:111-115
ISSN:0033-7579
Container-title:Radiation Effects
language:en
Short-container-title:Radiation Effects

Author:

Mauduit B. Legros-De,Lasserre A.,Reynaud F.

Publisher

Informa UK Limited

Subject

General Engineering

Link

http://www.tandfonline.com/doi/pdf/10.1080/00337578208235416

Reference15 articles.

1. Defects in electron-irradiated germanium

2. The dynamic observation of the formation of defects in silicon under electron and proton irradiation

3. {113} Loops in electron-irradiated silicon

4. Corbett, J. W. 1966. “Electron Radiation Damage in Semiconductors and Metals. IV: Compound Semiconductors”. Academic Press.

Cited by 9 articles. 订阅此论文施引文献订阅此论文施引文献，注册后可以免费订阅5篇论文的施引文献，订阅后可以查看论文全部施引文献

1. In situ defect studies on Si+implanted InP;Journal of Physics D: Applied Physics;1990-07-14

2. Etude expérimentale de la dynamique de croissance de défauts étendus, sous irradiation électronique à haute énergie, dans le tellurure de cadmium;Journal de Physique;1988

3. Luminescence of heavily electron irradiated InP;Journal of Applied Physics;1986-03

4. High voltage electron irradiation (1 MV, 2 MV) of prestrained InSb single crystals;Scripta Metallurgica;1985-12

5. Studies of the dislocation loops produced in III–V semiconducting compounds of B3 structure by irradiation in a high voltage electron microscope;Radiation Effects;1985-01