Chapter 6 Charge pumping techniques
Author:
Publisher
Elsevier
Reference110 articles.
1. Instabilities in Silicon Devices,1986-1989
2. Charge pumping in MOS devices
3. On the geometric component of charge-pumping current in MOSFETs
4. Analysis of the charge pumping technique and its application for the evaluation of MOSFET degradation
Cited by 4 articles. 订阅此论文施引文献 订阅此论文施引文献，注册后可以免费订阅5篇论文的施引文献，订阅后可以查看论文全部施引文献
1. An Overview of the NBTI Phenomenon in MOS Devices;Russian Microelectronics;2023-10
2. Effects of ionizing radiation on integrated circuits;e & i Elektrotechnik und Informationstechnik;2016-01-13
3. Capacitance Transient Spectroscopy Measurements on High-k Metal Gate Field Effect Transistors Fabricated Using 28nm Technology Node;Solid State Phenomena;2015-10
4. An improved time domain analysis of the charge pumping current;Journal of Non-Crystalline Solids;2001-02
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