Global simulation of the CZ silicon crystal growth up to 400mm in diameter

Author:

Takano K,Shiraishi Y,Matsubara J,Iida T,Takase N,Machida N,Kuramoto M,Yamagishi H

Publisher

Elsevier BV

Subject

Materials Chemistry,Inorganic Chemistry,Condensed Matter Physics

Reference6 articles.

1. Thermal Environment Prediction for Silicon Crystal Growth of up to 16-inch Diameters in Czochralski Furnaces

2. Numerical simulation for silicon crystal growth of up to 400 mm diameter in Czochralski furnaces

3. W.V. Ammon in: H. Richter et al. (Eds.), Proceedings of the sixth GADEST ’95, Scitec Publications, 1995, p. 97.

4. F. Dupret, N. Van den Bogaert, in: D.T.J. Hurle (Ed.), Handbook of Crystal Growth, Vol 2, 1994, p. 875.

5. Numerical simulation of the LEC-growth of GaAs crystals with account of high-pressure gas convection

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