MeV ion channeling study of SiNx/Si interfaces formed by various deposition methods
Author:
Publisher
Elsevier BV
Subject
Surfaces, Coatings and Films,Condensed Matter Physics,Surfaces and Interfaces,General Physics and Astronomy,General Chemistry
Reference14 articles.
1. Silicon nitride films grown on silicon below 300 °C in low power nitrogen plasma
2. Thermal nitridation of silicon in a cluster tool
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