Epitaxial Ge-Gd2O3 on Si(111) substrate by sputtering for germanium-on-insulator applications

Author:

Rawat AmitaORCID,Roluahpuia Krista Khiangte,Gribisch Philipp,Osten H.-J.,Laha Apurba,Mahapatra Suddhasatta,Ganguly Udayan

Funder

Indian Institute of Technology Bombay

Publisher

Elsevier BV

Subject

Materials Chemistry,Metals and Alloys,Surfaces, Coatings and Films,Surfaces and Interfaces,Electronic, Optical and Magnetic Materials

Reference22 articles.

1. Comparison of SOI versus bulk performances of CMOS micropower single-stage OTAs;Flandre;Electron. Lett.,1994

2. Fully-depleted SOI CMOS for analog applications;Colinge;IEEE Trans. Electron Devices,1998

3. Electro-thermal comparison and performance optimization of thin-body SOI and GOI mosfets;Pop,2004

4. Review of FINFET technology;Jurczak,2009

5. ”smart cut”: a promising new SOI material technology;Bruel,1995

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