The role of point-like and extended defects in MOS processing

Author:

Baldi Livio,Cerofolini Gianfranco,Perla Giuseppe

Publisher

Elsevier BV

Subject

General Engineering

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1. Gettering;Physical Chemistry of, in and on Silicon;1989

2. Gettering mechanisms in silicon;Journal of Applied Physics;1988-07-15

3. Solution chemistry in silicon;International Reviews in Physical Chemistry;1988-04

4. The Role of Dopant and Segregation Annealing in Silicon p–n Junction Gettering;Physica Status Solidi (a);1987-10-16

5. A comparison of gettering techniques for very large scale integration;Journal of Applied Physics;1984-01-15

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