Vapour phase in-situ etch of (100) GaAs substrates
Author:
Publisher
Elsevier BV
Subject
Condensed Matter Physics,General Materials Science
Reference10 articles.
1. The Effect of Chloride Etching on GaAs Epitaxy Using TMG and AsH3
2. In situ etching of GaAs using AsCl3 in MOVPE. II
3. Auger Spectra of HCl Vapor-Etched n[sup +] GaAs {100} Substrates
4. Surface topography of HCl gas-phase etched germanium
5. Vapor‐Phase Etching and Polishing of Gallium Arsenide Using Hydrogen Chloride Gas
Cited by 3 articles. 订阅此论文施引文献 订阅此论文施引文献，注册后可以免费订阅5篇论文的施引文献，订阅后可以查看论文全部施引文献
1. Vapor etching of GaAs and AlGaAs by CH3I;Applied Physics Letters;1992-03-23
2. Selective epitaxy of MOVPE GaAs using diethyl gallium chloride;Journal of Crystal Growth;1990-01
3. The effect of surface preparation on the production of low interfacial charge regrown interfaces;Journal of Crystal Growth;1986-09
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