Carrier Dynamics in Semiconductors under MIR FEL Excitation
Author:
Affiliation:
1. Department of Electronic Engineering, Osaka University
Publisher
Laser Society of Japan
Link
http://www.jstage.jst.go.jp/article/lsj/31/12/31_12_818/_pdf
Reference41 articles.
1. 1) J. Bardeen: Nobel Lecture, December 11, 1956.
2. GaAs, AlAs, and AlxGa1−xAs: Material parameters for use in research and device applications
3. Interface measurements of heterojunction band lineups with the Vanderbilt free-electron laser
4. Free-electron laser internal photoemission measurements of heterojunction band discontinuities
5. Free‐electron laser spectroscopy of semiconductors and interfaces
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