Кинетика люминесценции и локализация носителей в колончатых структурах типа «ядро-оболочка» с квантовыми ямами InGaN/GaN / Европейцев Е.А., Шубина Т.В., Robin Y., Давыдов В.Ю., Елисеев И.А., Торопов А.А., Кириленко Д.А., Bae S.-Y., Nitta S., Amano H., Иванов С.В.

Author:

Abstract

Колончатые структуры типа ядро-оболочка с квантовыми ямами (КЯ) InGaN/GaN излучают многополосную люминесценцию, перекрывающую весь видимый спектральный диапазон, что делает их потенциально применимыми для создания цветных дисплеев и широкополосных наноизлучателей. Мы представляем исследование оптических свойств одиночных колонок, выполненное методами спектроскопии микро-фотолюминесценции (микро-ФЛ), в том числе с временным и поляризационным разрешениями, дополненное исследованиями методом просвечивающей электронной микроскопии (ПЭМ). Три полосы ФЛ, наблюдаемые в ближней УФ, синей и зеленой областях, приписаны, соответственно, излучению КЯ, расположенных на боковых стенках (10- 10), верхних гранях (10-11) и верхушке (0001) колонок. При низкой температуре разрешенная по времени ФЛ имеет характерное быстрое время затухания около 0.5 нс для полуполярных и неполярных КЯ, в то время как полярные ямы проявляют как минимум втрое большее время. Компоненты медленного затухания ФЛ имеют различные характерные времена, что, помимо квантоворазмерного эффекта Штарка, объясняется локализацией носителей на флуктуациях потенциала. Подобные флуктуации потенциала могут быть связаны с обнаруженными базальными дефектами упаковки, которые пронизывают полярные и полуполярные КЯ, как показали исследования ПЭМ. Наличие пересечений КЯ дефектами упаковки согласуется с наблюдением узких линий экситонной люминесценции на кончиках колонок при низкой температуре. Увеличение мощности накачки приводит к спектральному уширению узких линий без существенного сдвига каждой отдельной линии. Проведенное исследование позволило определить ямы какой полярности отвечают за появление той или иной полосы люминесценции, а также чем контролируется ее интенсивность, временные и спектральные характеристики, что необходимо для создания унифицированных ансамблей колончатых структур.

Publisher

Rzhanov Institute Semiconductor Physics SB RAS

Reference3 articles.

1. Y. Robin, S.Y. Bae, T.V. Shubina, M. Pristovsek, E.A. Evropeitsev et al., Sci. Rep. 8, 7311 (2018).

2. Y. Robin, E.A. Evropeitsev, T.V. Shubina et al., Nanoscale 11, 193 (2019).

3. E.A. Evropeitsev, Y. Robin, T.V. Shubina et al., Phys. Stat. Sol. B 1800648 (2019).

同舟云学术

1.学者识别学者识别

2.学术分析学术分析

3.人才评估人才评估

"同舟云学术"是以全球学者为主线,采集、加工和组织学术论文而形成的新型学术文献查询和分析系统,可以对全球学者进行文献检索和人才价值评估。用户可以通过关注某些学科领域的顶尖人物而持续追踪该领域的学科进展和研究前沿。经过近期的数据扩容,当前同舟云学术共收录了国内外主流学术期刊6万余种,收集的期刊论文及会议论文总量共计约1.5亿篇,并以每天添加12000余篇中外论文的速度递增。我们也可以为用户提供个性化、定制化的学者数据。欢迎来电咨询!咨询电话:010-8811{复制后删除}0370

www.globalauthorid.com

TOP

Copyright © 2019-2024 北京同舟云网络信息技术有限公司
京公网安备11010802033243号  京ICP备18003416号-3