Giảm thấp điện áp dẫn của bộ vi kích hoạt điện nhiệt dạng dầm chữ V bằng phương pháp phún xạ bề mặt

Abstract

Bài báo giới thiệu phương pháp giảm điện trở bề mặt của bộ vi kích hoạt điện nhiệt dạng chữ V, từ đó, giảm điện áp dẫn, nâng cao chuyển vị, tỷ trọng công suất của bộ vi kích hoạt. Các bộ vi kích hoạt được chế tạo từ phiến silic kép (SOI- Silicon on Insulator) theo quy trình gia công vi cơ khối (Bulk – micromachining), trong đó có cải tiến bổ sung thêm quy trình phún xạ bề mặt bằng vật liệu platin với các thời gian phún xạ thử nghiệm lần lượt là 1,5; 3 và 6 phút. Kết quả cho thấy điện trở bề mặt của bộ vi kích hoạt giảm đi tương ứng 1,16; 1,55 và 2,4 lần so với khi chưa thực hiện phún xạ. Bằng thực nghiệm cũng xác định được chuyển vị của bộ vi kích hoạt có thể tăng 1,45 lần ở dải điện áp từ 8 ÷ 20 V. Điều đó cho ta xác định hiệu quả và tỷ trọng công suất của bộ vi kích hoạt tăng cao hơn so với không thực hiện phún xạ.