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A channelling and conversion electron Mossbauer spectroscopy study of annealing behaviour of tin implanted silicon

  • Published:1986-10-01 Issue:4 Volume:1 Page:241-245
  • ISSN:0268-1242
  • Container-title:Semiconductor Science and Technology
  • language:
  • Short-container-title:Semicond. Sci. Technol.

Author:

Scherer Elza M,Souza J P de,Hasenack C M,Baumvol I J R

Publisher

IOP Publishing

Subject

Materials Chemistry,Electrical and Electronic Engineering,Condensed Matter Physics,Electronic, Optical and Magnetic Materials

Cited by 13 articles. 订阅此论文施引文献 订阅此论文施引文献，注册后可以免费订阅5篇论文的施引文献，订阅后可以查看论文全部施引文献

1. Einführung in die Sprechakttheorie;GER ARBEITSHEFT;2020-05-15

2. Tin-vacancy acceptor levels in electron-irradiated n-type silicon;Physical Review B;2000-08

3. α-Sn and β-Sn precipitates in annealed epitaxialSi0.95Sn0.05;Physical Review B;1999-08-15

4. Study of the ion implantation of 119Sn in a-Si1−xCx:H;Journal of Non-Crystalline Solids;1999-03

5. Applications of conversion electron Mössbauer spectrometry (CEMS);Journal of Radioanalytical and Nuclear Chemistry Articles;1996-01
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