Performance boost using spacer-confined cavity for advanced FinFET technology
Author:
Publisher
IOP Publishing
Subject
Materials Chemistry,Electrical and Electronic Engineering,Condensed Matter Physics,Electronic, Optical and Magnetic Materials
Link
http://iopscience.iop.org/article/10.1088/1361-6641/aaf199/pdf
Reference10 articles.
1. FinFET-a self-aligned double-gate MOSFET scalable to 20 nm
2. A 12nm FinFET Technology Featuring 2nd Generation FinFET for Low Power and High Performance Applications
3. Multiple Workfunction High Performance FinFETs for Ultra-low Voltage Operation
4. In-Situ Boron Doped SiGe Epitaxy Optimization for FinFET Source/Drain
5. Effects of high in-situ source/drain boron doping in p-FinFETs on physical and device performance characteristics
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