Phase Transition and Band Structure Tuned by Strains in Al 1/2 Ga 1/2 N Alloy of Complex Structure
Author:
Publisher
IOP Publishing
Subject
General Physics and Astronomy
Link
https://iopscience.iop.org/article/10.1088/0256-307X/33/7/077101/pdf
Reference24 articles.
1. Band parameters for nitrogen-containing semiconductors
2. When group-III nitrides go infrared: New properties and perspectives
3. Density functional theory study ofZnX(X=O, S, Se, Te)under uniaxial strain
4. Polar semiconductor ZnO under inplane tensile strain
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1. Strain-assisted band gap modulation in intrinsic and aluminum doped p-type SiC;AIP Advances;2018-07
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