Affiliation:
1. АО «НИИМЭ»
2. АО «НИИМЭ»; МФТИ (НИУ)
Abstract
Исследована кинетика радикального окисления кремниевой пластины в системе индивидуальной загрузки при проведении процесса окисления с генерацией пара у поверхности пластины (in situ steam-generation – ISSG), основанном на сгорании водорода. Для определения констант радикального окисления использовались полученные зависимости толщины оксида от времени при различной температуре и фиксированных остальных параметрах технологического процесса. Показано, что радикальное ISSG окисление при низком давлении характеризуется высокой скоростью роста и определяется концентрацией радикалов кислорода. Константы радикального окисления позволяют объяснить слабую чувствительность толщины оксида к кристаллической ориентации, степени легирования и напряжениям. Описание радикального окисления линейно параболическим и экспоненциальным законами роста имеет практическое значение, так как позволяет совместно с моделированием состава газовой среды прогнозировать ISSG окисление в широком диапазоне параметров процесса.
Reference21 articles.
1. Красников Г.Я., Горнев Е.С., Матюшкин И.В. Общая теория технологии и микроэлектроника: часть 3. Уровень технологической операции // Электронная техника. Серия 3: Микроэлектроника. 2018. № 3 (171). С. 63–93.
2. Lojek B. History of semiconductor engineering // Berlin: Springer, 2007. С. 156.
3. Muller D.A. et al. The electronic structure at the atomic scale of ultrathin gate oxides // Nature. 1999. Т. 399. № . 6738. С. 758–761.
4. Корольченко А.Я. Процессы горения и взрыва. – 2007.
5. Storbeck O., Pethe W., Hayn R. A Growth Kinetics Model for the Radical Oxidation of Silicon // Materials Science Forum. Trans Tech Publications Ltd, 2008. Т. 573. С. 147–152.
Cited by
2 articles.
订阅此论文施引文献
订阅此论文施引文献，注册后可以免费订阅5篇论文的施引文献，订阅后可以查看论文全部施引文献