НИЗКОТЕМПЕРАТУРНОЕ РАДИКАЛЬНОЕ ISSG ОКИСЛЕНИЕ КРЕМНИЯ, "Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника"

Abstract

Исследована кинетика радикального окисления кремниевой пластины в системе индивидуальной обработки при проведении процесса низкотемпературного окисления (500…800 °С) с генерацией пара у поверхности пластины (in situ steam-generation – ISSG). Для определения констант радикального окисения использовались полученные зависимости толщины оксида от времени при различной температуре и фиксированных остальных параметрах технологического процесса. Показано, что скорость низкотемпературного радикального окисления соответствует экспоненциальному закону роста. Самоограничение толщины оксида, наблюдаемое при температуре ниже 700 °С, имеет большое практическое значение для формирования тонкого диэлектрика толщиной менее 1 нм, так как позволяет подбирать необходимую толщину оксида, изменяя температуру, а не время процесса.