КОНСТРУКТИВНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ОСОБЕННОСТИ КМОП КНИ-ТРАНЗИСТОРОВ С ПОВЫШЕННОЙ СТОЙКОСТЬЮ К НАКОПЛЕННОЙ ДОЗЕ ИОНИЗИРУЮЩЕГО ИЗЛУЧЕНИЯ, "Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника"

Abstract

В работе рассмотрены методы повышения стойкости интегральных микросхем к ионизирующему излучению, реализованных на базе КНИ КМОП технологии. Дается описание основных эффектов, возникающих в КНИ КМОП-транзисторах при взаимодействии с ионизирующим излучением космического пространства. Представлен ряд приемов, позволяющих повысить радиационную стойкость ИМС на базе КНИ КМОП технологии. Анализируются перспективы развития изделий микроэлектроники с повышенной стойкостью к внешним воздействиям в условиях постоянного уменьшения проектных норм.