Abstract
Las películas de AlGaAs fueron depositadas por pulverización catódica asistida por campo magnético sobre sustratos de vidrio y Si (100). Se mantuvo constante la temperatura del substrato y se varió la relación de la potencia de los blancos de Al y GaAs. Para disminuir los efectos del desacople del parámetro de red entre la capa de AlGaAs y los substratos, se depositó una capa buffer de GaAs. Los espectros de difracción de rayos X muestran que las películas son policristalinas con orientación preferencial (111). Los espectros Raman evidencian un comportamiento de dos modos, correspondiente a modos vibracionales TO y LO de GaAs y de AlAs, respectivamente.
Publisher
Universidad Nacional de Colombia
Subject
History and Philosophy of Science,Physical and Theoretical Chemistry,General Physics and Astronomy,Geophysics,Electronic, Optical and Magnetic Materials
Reference11 articles.
1. A. P. Kirk, So.l Energ. Mat. Sol. C 94, 2442 (2010).
2. T. Lee, H. Rho, J. D. Song, and W. J. Choi, Curr. Appl. Phys. 17, 398 (2017).
3. P. V. Seredin, A. V. Glotov, E. P. Domashevskaya, I. N. Arsentyev, D. A. Vinokurov, and I. S. Tarasov, Phys. Condens. Matter. 405, 2694 (2010).
4. Z. R.Wasilewski, M. M. Dion, D. J. Lockwood, P. Poole, R. W. Streater, and A. J. SpringThorpe, J. Appl. Phys. 81, 1683 (1997).
5. G. Braüer, B. Szyszka, M. Vergohl, and R. Bandorf, Vacuum 84, 1354 (2010).