Impact ionization of deep-impurities (In, Ni, Au) in silicon†
Author:
Publisher
Informa UK Limited
Subject
Electrical and Electronic Engineering
Link
http://www.tandfonline.com/doi/pdf/10.1080/00207217208938299
Reference20 articles.
1. Piezoresistance and Piezo-Hall-Effect inn-Type Silicon
2. Shapes of Two-Phonon Recombination Peaks in Silicon
3. Impact ionization devices
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1. Impact-ionization autosolitons in compensated silicon;Semiconductors;2004-09
2. Impact-ionization autosolitons in silicon with deep impurity levels;Technical Physics Letters;2003-12
3. Literaturverzeichnis;Teubner Studienbücher Chemie;2000
4. Behavior of InP:Fe under high electric field;Journal of Applied Physics;1993-06-15
5. Impact ionization of deep traps in semi‐insulating GaAs substrates;Journal of Applied Physics;1990-06-15
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