Hydrogen stability in amorphous germanium films

Author:

Beyer W.1,Herion J.1,Wagner H.1,Zastrow U.1

Affiliation:

1. a Institut für Schicht- und Ionentechnik , Forschungszentrum Jülich , D-5170 , Jülich , F.R. Germany

Publisher

Informa UK Limited

Subject

General Physics and Astronomy,General Chemical Engineering

Reference22 articles.

1. Hydrogen Incorporation in Amorphous Silicon and Processes of Its Release

2. Beyer , W. Herion , J. Mell , H. and Wagner , H. 1988. Amorphous Silicon Technology, Edited by: Madan , A. Thompson , M. J. Taylor , P. C. and Le Comber , P. G. 291Pittsburgh, Pennsylvania: Materials Research Society.

3. Fermi energy dependence of surface desorption and diffusion of hydrogen in a-Si:H

4. Comparative study of hydrogen evolution from amorphous hydrogenated silicon films

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