PECVD silicon carbide deposited at different temperature
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Springer Science and Business Media LLC
Subject
General Physics and Astronomy
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http://link.springer.com/content/pdf/10.1007/s10582-006-0351-8.pdf
Reference6 articles.
1. H. Morkoc, S. Strite, G. B. Gao, M. E. Lin, B. Sverdlov, M. Burns: J. Appl. Phys. 76 (1994) 1363.
2. R. J. Trew, J. B. Yan, P. M. Mock: Proc. IEEE 79 (1991) 598.
3. M. Mehregany, C. A. Zorman, N. Rajan, C. H. Wu: Proc. IEEE 86 (1998)1594.
4. Y. T. Yang, K. L. Ekinci, X. M. H Huang, L. M. Schiavone, M. L. Roukes, C. A. Zorman, M. Mehregany: Appl. Phys. Lett.78 (2001)162.
5. E. G. Wang: Physica B185 (1993) 85.
Cited by 4 articles. 订阅此论文施引文献 订阅此论文施引文献，注册后可以免费订阅5篇论文的施引文献，订阅后可以查看论文全部施引文献
1. Interface and Morphology Engineered Amorphous Si for Ultrafast Electrochemical Lithium Storage;Small;2024-03-03
2. Nearly warm white-light emission of silicon-rich amorphous silicon carbide;RSC Advances;2015
3. Si-Rich $\hbox{Si}_{\rm x}\hbox{C}_{1 - {\rm x}}$ Light-Emitting Diodes With Buried Si Quantum Dots;IEEE Photonics Journal;2012-10
4. Ellipsometry, FTIR, Raman and X-Ray Spectroscopy Analysis of PECVD a-Si1-xCx:H Film;Spectroscopy Letters;2010-04-30
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