知名学者引用
除了所发表论文的被引用频次、期刊质量能够彰显学者的学术影响力以外，被知名学者引用也是一项学术评价的重要指标。 当前全球学者库认定的知名学者包括：诺贝尔奖、菲尔兹奖、图灵奖等奖项获得者，多个国家的院士，全球学者库“2023全球学者学术影响力排行版”入榜的前10万学者等。
Pan, Yue 北京大学被知名学者引用：36人次（黄金会员以上可以申请导出本人论文被全部知名学者引用的数据）
1. 黄如 中国 东南大学 中国科学院院士 In-memory computing with emerging nonvolatile memory devices
2. 刘明 中国 中国科学院 中国科学院院士 Total ionization dose and single event effects of a commercial stand-alone 4 Mb resistive random acc..
3. 黄如 中国 东南大学 中国科学院院士 Light-Tunable Nonvolatile Memory Characteristics in Photochromic RRAM
4. 黄维 中国 西北工业大学 2023美国工程院院士;中国科学院院士 Light-Tunable Nonvolatile Memory Characteristics in Photochromic RRAM
5. 黄如 中国 东南大学 中国科学院院士 Modulation of nonlinear resistive switching behavior of a TaOx-based resistive device through interf..
6. 王阳元 中国 北京大学 中国科学院院士 Modulation of nonlinear resistive switching behavior of a TaOx-based resistive device through interf..
7. 黄如 中国 东南大学 中国科学院院士 A flexible organic resistance memory device for wearable biomedical applications
8. 黄如 中国 东南大学 中国科学院院士 Self-selection effects and modulation of TaOx resistive switching random access memory with bottom e..
9. 黄如 中国 东南大学 中国科学院院士 Encapsulation layer design and scalability in encapsulated vertical 3D RRAM
10. Hofmann, Stephan 英国 University of Cambridge Materials and devices as solutions to computational problems in machine learning
11. 杨玉超 中国 北京大学 研究员 In-memory computing with emerging nonvolatile memory devices
12. 吴华强 中国 清华大学 教授 Memory materials and devices: From concept to application
13. 周鹏 中国 复旦大学 教授 博士生导师 Memory materials and devices: From concept to application
14. Jing,Guo 美国 University of Florida Atomically Thin Femtojoule Memristive Device
15. 汪涵 美国 University of Southern California Atomically Thin Femtojoule Memristive Device
16. 解令海 中国 南京邮电大学 Light-Tunable Nonvolatile Memory Characteristics in Photochromic RRAM
17. Shimeng,Yu 美国 Georgia Institute of Technology Total Ionizing Dose Effects of Gamma-Ray Radiation on NbOx-Based Selector Devices for Crossbar Array..
18. Duncan H,Gregory 英国 University of Glasgow Transforming the Short-term Sensing Stimuli to Long-term e-skin Memory
19. Ravinder,Dahiya 英国 University of Glasgow Transforming the Short-term Sensing Stimuli to Long-term e-skin Memory
20. Geoffrey W,Burr 美国 IBM Circuit-Level Benchmarking of Access Devices for Resistive Nonvolatile Memory Arrays
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