Abstract
Обзор научной литературы по теории интерференции рентгеновских лучей
показывает, что вопросам изучения тонких имплантированных слоев рентгенодифракционными методами посвящено много работ. Все эти работы имеют некоторые общие
характерные черты. В частности, все рентгенотопографические исследования проводились с образцами, которые облучались энергиями выше 1 МэВ.
При облучении ионами с низкими энергиями, в особенности в малых дозах,
необходимо пользоваться рентгеноинтерферометрическими методами, чувствительность и разрешение которых несравнимо велики. В настоящей работе приведены
результаты теоретических и экспериментальных рентгеноинтерферометрических
исследований несовершенств кристаллов, возникающих в результате ионной
имплантации малыми дозами и низкими энергиями.
Результаты исследований представлены с помощью рентгенодифракционных
муаровых картин полей деформаций, возникающих в одной из работающих частей
зеркального блока трехкристального рентгеновского кремниевого интерферометра,
подвергнутого ионной имплантации, в зависимости от дозы облучения. Исследовано
также перераспределение напряжений, возникающих в этом участке блока интерферометра при его бомбардировке. Полученные результаты дают основу для решения
обратной задачи, а именно - задачи восстановления полей механических напряжений
в кристаллических блоках интерферометра путем расшифровки муаровых картин, так
как изменение муаровых картин будет заключать в себе информацию о механических
напряжениях. Таким образом, метод рентгеноинтерферометрического муара дает возможность прямого экспериментального изучения полей механических напряжений,
созданных структурными дефектами кристаллической решетки. Выведено условие
применимости выражения для определения периода муаровых картин при оценке
внутрикристальных деформаций.
Publisher
National Polytechnic University of Armenia