Fabrication of 200.DEG.C.-operated SiC Switching Module

Author:

Tokuda Hitoki,Tanaka Yasunori,Nakagawa Hirosi,Aoyagi Masahiro,Fukuda Kenji,Ohashi Hiromichi,Tsuno Takashi,Hoshino Takashi,Namikawa Yasuo,Hayashi Hideki

Publisher

Japan Institute of Electronics Packaging

Subject

Electrical and Electronic Engineering

Reference11 articles.

1. 1) 只野 博:"自動車における次世代パワー素子への期待,"2003年度新機能素子シンポジウム〈セッション4:次世代パワーエレクトロニクス〉「次世代パワー素子への期待」2003.10.9

2. 2) 赤木泰文:"超低損失.高速パワーデバイスの使用を前提とした次世代高圧電力変換回路,"2003年新機能素子シンポジウム〈セッション4:次世代パワーエレクトロニクス〉「パワーエレクトロニクス」2003.10.9

3. 4) 荒井和雄,吉田貞史,他:"SiC素子の基礎と応用,"オーム社,2003

4. 5) 特集記事:覚醒するSiC日経エレクトロニクス,pp. 45–67, 2008.11.17

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1. Evaluation of Reliability of Electronic Power Devices and Modules;Journal of Japan Institute of Electronics Packaging;2012

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