Evaluation of Reliability of Electronic Power Devices and Modules
Author:
Publisher
Japan Institute of Electronics Packaging
Subject
Electrical and Electronic Engineering
Link
https://www.jstage.jst.go.jp/article/jiep/15/5/15_395/_pdf
Reference11 articles.
1. Fabrication of 200.DEG.C.-operated SiC Switching Module
2. 8) H. Miura and H. Moriya: “Mechanical Stress-Induced Damage on Breakdown Characteristics of Dielectric Thin Films in MOS Transistors,” Proc. of ASME InterPACK2003, No. 35086, 2003, pp. 1–6
3. 9) H. Miura and Suzuki: “Degradation of Interface Integrity between a High-k Dielectric Thin Film and a Gate Electrode Due to Excess Oxygen in the Film,” Proc. of 2009 IEEE IRPS, No. 4A-6, 2009, pp. 376–381
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