64 nm pitch Cu dual-damascene interconnects using pitch split double exposure patterning scheme

Author:

Shyng-Tsong Chen ,Tomizawa H.,Tsumura K.,Tagami M.,Shobha H.,Sankarapandian M.,Van der Straten O.,Kelly J.,Canaperi D.,Levin T.,Cohen S.,Yin Y.,Horak D.,Ishikawa M.,Mignot Y.,Koay C-S.,Burns S.,Halle S.,Kato H.,Landie G.,Xu Y.,Scaduto A.,Mclellan E.,Arnold J.C.,Colburn M.,Usui T.,Spooner T.

Publisher

IEEE

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1. Interconnect Processing: Integration, Dielectrics, Metals;Springer Handbook of Semiconductor Devices;2022-11-11

2. Cu filling of 10 nm trenches by high-magnetic-field magnetron sputtering;Japanese Journal of Applied Physics;2014-04-16

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