A Charge-Based Silicon Carbide MOSFET Compact Model for Power Electronics Applications
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Publisher
IEEE
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http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/9667472/9667553/09667643.pdf?arnumber=9667643
Reference23 articles.
1. Datasheet-Driven Compact Model of Silicon Carbide Power MOSFET Including Third-Quadrant Behavior
2. An Iterative Surface Potential Algorithm Including Interface Traps for Compact Modeling of SiC-MOSFETs
3. A Physics-Based Compact Model of SiC Power MOSFETs
4. Power SiC MOSFET model with simplified description of linear and saturation operating regions
5. Surface-Potential-Based Silicon Carbide Power MOSFET Model for Circuit Simulation
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