A Transformed-based Ka-band GaN Low-Noise Amplifier MMIC
Author:
Affiliation:
1. South China University of Technology,Guangdong Provincial Key Laboratory of Millimeter-Wave and Terahertz,Guangzhou,China
Funder
Natural Science Foundation of China (NSFC)
Publisher
IEEE
Link
http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/9977438/9977447/09978120.pdf?arnumber=9978120
Reference9 articles.
1. A 54.4–90 GHz Low-Noise Amplifier in 65-nm CMOS
2. Ka-Band LNA MMIC's Realized in Fmax > 580 GHz GaN HEMT Technology
3. A 22–30-GHz GaN Low-Noise Amplifier With 0.4–1.1-dB Noise Figure
4. 18–31 GHz GaN MMIC LNA using a 0.1 um T-gate HEMT process
5. Transformer-Feedback Interstage Bandwidth Enhancement for MMIC Multistage Amplifiers
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