A 9.96 mW 3.24±0.5 dB NF 1.9∼22.5 GHz wideband low-noise amplifier using 90 nm CMOS technology
Author:
Publisher
IEEE
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http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/6821320/6830066/06830072.pdf?arnumber=6830072
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1. A 6 to 21 GHz CMOS Low Noise Amplifier Using Inductive-Peaking and Wideband Matching Techniques;2024 International Technical Conference on Circuits/Systems, Computers, and Communications (ITC-CSCC);2024-07-02
2. A 0.4-to-30 GHz CMOS Low Noise Amplifier With Input-Referred Noise Reduction and Coupled-Inductive-Peaking Technique;IEEE Microwave and Wireless Technology Letters;2023-06
3. A 7.2–27.3 GHz CMOS LNA With 3.51 ±0.21 dB Noise Figure Using Multistage Noise Matching Technique;IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques;2022-01
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