A 9.96 mW 3.24±0.5 dB NF 1.9∼22.5 GHz wideband low-noise amplifier using 90 nm CMOS technology

Author:

Lin Yo-Sheng,Wang Chien-Chin,Lee Jen-How

Publisher

IEEE

Cited by 4 articles. 订阅此论文施引文献 订阅此论文施引文献,注册后可以免费订阅5篇论文的施引文献,订阅后可以查看论文全部施引文献

1. A 6 to 21 GHz CMOS Low Noise Amplifier Using Inductive-Peaking and Wideband Matching Techniques;2024 International Technical Conference on Circuits/Systems, Computers, and Communications (ITC-CSCC);2024-07-02

2. A 0.4-to-30 GHz CMOS Low Noise Amplifier With Input-Referred Noise Reduction and Coupled-Inductive-Peaking Technique;IEEE Microwave and Wireless Technology Letters;2023-06

3. A 7.2–27.3 GHz CMOS LNA With 3.51 ±0.21 dB Noise Figure Using Multistage Noise Matching Technique;IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques;2022-01

4. A 0.096-mm$^{2}~1$ –20-GHz Triple-Path Noise- Canceling Common-Gate Common-Source LNA With Dual Complementary pMOS–nMOS Configuration;IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques;2020-01

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