A 6 to 21 GHz CMOS Low Noise Amplifier Using Inductive-Peaking and Wideband Matching Techniques
Author:
Affiliation:
1. Southeast University,Nanjing,China
Publisher
IEEE
Link
http://xplorestaging.ieee.org/ielx8/10628105/10628121/10628191.pdf?arnumber=10628191
Reference13 articles.
1. A 7.2–27.3 GHz CMOS LNA With 3.51 ±0.21 dB Noise Figure Using Multistage Noise Matching Technique
2. Compact Wideband LNA With Gain and Input Matching Bandwidth Extensions by Transformer
3. A 9.96 mW 3.24±0.5 dB NF 1.9∼22.5 GHz wideband low-noise amplifier using 90 nm CMOS technology
4. A 0.044-mm2 0.5-to-7-GHz Resistor-Plus-Source-Follower-Feedback Noise-Cancelling LNA Achieving a Flat NF of 3.3±0.45 dB
5. A 3 to 10 GHz LNA using a wideband LC-ladder matching network
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