NCFET: Opportunities & challenges for advanced technology nodes
Author:
Publisher
IEEE
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http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/8232886/8246152/08246180.pdf?arnumber=8246180
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2. Steep-Slope and Hysteresis-Free MoS2 Negative-Capacitance Transistors Using Single HfZrAlO Layer as Gate Dielectric;Nanomaterials;2022-12-07
3. Understanding of carriers’ kinetic energy in steep-slope P+N+P+N+ feedback field effect transistor;Semiconductor Science and Technology;2022-09-07
4. Impacts of HfZrO thickness and anneal temperature on performance of MoS2 negative-capacitance field-effect transistors;Nanotechnology;2021-08-13
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