A 110-160GHz Wideband Power Amplifier in 0.13μm SiGe BiCMOS with 14.12dBm Psat and 9.26% PAE
Author:
Affiliation:
1. School of Integrated Circuits and Electronics, Beijing Institute of Technology
Publisher
IEEE
Link
http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/10221938/10221896/10222178.pdf?arnumber=10222178
Reference11 articles.
1. RF Circuit Design
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