The Effect of Depth, AIR Gap Width and ION Implant on Deep Trench Isolation for BCD Technology
Author:
Affiliation:
1. Huahong Semiconductor (Wuxi) Co., Ltd,Jiangsu,China,214000
Publisher
IEEE
Link
http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/10531806/10531771/10532121.pdf?arnumber=10532121
Reference6 articles.
1. 2012 IEEE International Conference on Electron Devices and Solid State Circuit (EDSSC)
2. An analog technology integrates bipolar, CMOS, and high-voltage DMOS transistors
3. 2022 33rd Annual SEMI Advanced Semiconductor Manufacturing Conference (ASMC)
4. Density relaxation of silicon dioxide on (100) silicon during thermal annealing
5. A new integrated silicon gate technology combining bipolar linear, CMOS logic, and DMOS power parts
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