Total ionizing dose effects on MOS transistors fabricated in 0.18 µm CMOS technology-Reference-Cited by-同舟云学术

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Total ionizing dose effects on MOS transistors fabricated in 0.18 µm CMOS technology

Published:2016-05 Issue: Volume: Page:
ISSN:
Container-title:2016 Asia-Pacific International Symposium on Electromagnetic Compatibility (APEMC)
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Author:

Bezhenova Varvara,Michalowska-Forsyth Alicja

Publisher

IEEE

Link

http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/7510516/7522714/07522739.pdf?arnumber=7522739

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1. Enhanced radiation-induced narrow channel effects in 0.13-${\boldsymbol{\mu }}{\rm{m}}$ PDSOI nMOSFETs with shallow trench isolation;Chinese Physics B;2018-02

2. A radiation-hard curvature compensated bandgap voltage reference;e & i Elektrotechnik und Informationstechnik;2018-02

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