Sub-100-nm gate-length scaling of vertical InAs/InGaAs nanowire MOSFETs on Si
Author:
Publisher
IEEE
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http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/8255107/8268301/08268408.pdf?arnumber=8268408
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4. A unified compact model for electrostatics of III–V GAA transistors with different geometries;Journal of Computational Electronics;2021-08-07
5. Analytical drain current and performance evaluation for inversion type InGaAs gate-all-around MOSFET;AIP Advances;2021-06-01
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