Efficient RF Small-Signal Parasitic Parameters Extraction Technique For The Advanced MOSFETs
Author:
Affiliation:
1. Centre de développement des technologies Avancées,Division Microélectronique et Nanotechnologie,Algiers,Algeria
2. School of Electrical Engineering and Computer Science University of Ottawa,Ottawa,Canada
Publisher
IEEE
Link
http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/10419379/10419198/10419439.pdf?arnumber=10419439
Reference27 articles.
1. Effects of Scaling on Analog FoMs of UTBB FD-SOI MOS Transistors: A Detailed Analysis
2. Nanoscale FD/SOI CMOS: thick or thin BOX?
3. On the scaling limit of ultrathin SOI MOSFETs
4. UTBB FDSOI: Evolution and opportunities
5. Performance vs. reliability adaptive body bias scheme in 28nm & 14nm UTBB FDSOI nodes
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