A 22nm CMOS 0.2V 13.3nW 16T SRAM Using Dynamic Leakage Suppression and Half-Selected Free Technique
Author:
Affiliation:
1. Nagoya University,Japan
Funder
PRESTO
MEXT
Publisher
IEEE
Link
http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/9687621/9687623/09687693.pdf?arnumber=9687693
Reference13 articles.
1. A 1.85fW/bit ultra low leakage 10T SRAM with speed compensation scheme
2. A 290-mV, 3.34-MHz, 6T SRAM With pMOS Access Transistors and Boosted Wordline in 65-nm CMOS Technology
3. A 0.5-V 28-nm 256-kb Mini-Array Based 6T SRAM With Vtrip-Tracking Write-Assist
4. An Ultra-low Power 8T SRAM with Vertical Read Word Line and Data Aware Write Assist
Cited by 1 articles. 订阅此论文施引文献 订阅此论文施引文献，注册后可以免费订阅5篇论文的施引文献，订阅后可以查看论文全部施引文献
1. A Low Power SRAM with Fully Dynamic Leakage Suppression for IoT Nodes;2023 24th International Symposium on Quality Electronic Design (ISQED);2023-04-05
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