Investigation of 14 NM Contact Tungsten Gap-Filling Performance
Author:
Affiliation:
1. Shanghai Huali Integrated Circuit Corporation,Shanghai,China,201210
Publisher
IEEE
Link
http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/9856647/9856709/09856771.pdf?arnumber=9856771
Reference4 articles.
1. Improving Tungsten gap-fill for advanced contact metallization
2. An Optimized W Process for Metal Gate Electrode Gap Filling Application;xu;China Semiconductor Technology International Conference,0
3. Characterizations of Pulsed Chemical Vapor Deposited-Tungsten Thin Films for Ultrahigh Aspect Ratio W-Plug Process
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