Manufacturable and rugged 1.2 KV SiC MOSFETs fabricated in high-volume 150mm CMOS fab
Author:
Publisher
IEEE
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http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/7509008/7520753/07520832.pdf?arnumber=7520832
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1. Revolution of Electric Vehicle Charging Technologies Accelerated by Wide Bandgap Devices;Proceedings of the IEEE;2021-06
2. Asymmetrical Contact Geometry to Reduce Forward-Bias Degradation in β-Ga2O3 Rectifiers;ECS Journal of Solid State Science and Technology;2020-01-03
3. Extremely Low ON-Resistance SiC Cascode Configuration Using Buried-Gate Static Induction Transistor;IEEE Electron Device Letters;2018-12
4. 3300V SiC DMOSFETs Fabricated in High-Volume 150 mm CMOS Fab;Materials Science Forum;2018-06
5. Reliability and Ruggedness of 1200V SiC Planar Gate MOSFETs Fabricated in a High Volume CMOS Foundry;Materials Science Forum;2018-06
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